USE
用于测量硅片、外延层、扩散层、ITO、离子注入层、金属薄膜等的电阻率和方块电阻。
四探针测试技术利用四根等间距配置的探针扎在材料表面，由恒流源给外侧的两根探针提供电流I，测量出中间两根探针之间的电压V，求出电阻率及方块电阻。
Technical indicators
3mV、30mV、300mV；
100nA、1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA；
1mm；
8英寸样品向下兼容。
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