USE
I-line光源，具有多种曝光模式和曝光能量可调节的特点，可以适应不同工艺需求，满足不同芯片制造的要求； 先进能量控制技术，确保每一次曝光一致性可靠性，可以实现微米级的图形曝光，支持背面对准光刻和键合对准工艺。
将芯片制作所需要的线路与功能区图形从掩膜板复制到样品上。
Technical indicators
正面套刻精度：≤1μm，背面套刻精度：≤2μm；
1.2μm；
最大6寸，最小1cm*1cm；
＜3mm；
最大7寸，最小5寸；
软接触，硬接触，真空、接近（间距：10-300μm）
8.8-9.2毫瓦每平方厘米；
3%以内。
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