USE
In、Sn、AuSn的厚膜蒸发。
采用电阻加热方式，将材料加热到高温使其蒸发。蒸发后的材料分子在真空中向基材运动，并在基材表面沉积形成薄膜。
单次最大厚度不超过10μm
Technical indicators
8英寸样品，向下尺寸兼容；
本底真空5E-4Pa；
单次工艺1-10um；
抽真空1h左右至真空5E-4Pa，10gIn在300A电流条件下蒸发约5min，完成约8-10μm厚度薄膜的蒸发。冷却15min后对腔体充气取样。 抽真空1h左右至真空5E-4Pa，10gSn在350A电流条件下蒸发约10min，完成约6μm左右厚度薄膜的蒸发。冷却15min后对腔体充气取样。
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